编辑:电脑系统下载 2023-12-19 来源于:网络
电脑系统网 12 月 19 日消息,SamMobile 消息称,ASML 将在未来几个月内推出 2nm 芯片制造设备的工艺节点,数值孔径(NA)光学性能从 0.33 提高到 0.55,三星计划 2025 生产始于年底 2nm 芯片。
据称,ASML 明年只有计划产能 10 英特尔已经预订了台湾 6 台,不过 ASML 计划在未来几年内将该设备的产能提高到每年 20 台。
目前,ASML 官网列出的 EUV 只有两台光刻机 ——NXE:3600D 和 NXE:3400C,均配备 0.33 NA 反射投影光学器件及 13.5nm EUV 光源,分别适用 3/5nm 和 5/7nm 芯片制造。
▲ NXE:3600DASML 发言人曾透露,EXE:5200 是 ASML 下一代高 NA 该系统具有较高的光刻分辨率,可以缩小芯片 1.7 同时,密度增加到 2.9 倍。
▲ ASML 高 NA 系统路线图前一份报告显示,ASML 第一台 0.55 NA EUV 光刻机计划 2025 年后量产,第一个将交付给英特尔。
英特尔发言人表示,该公司将成为 ASML 第一台 EXE:5200 的买家。与 EXE:5000 相比,EXE:5200 预计将带来一些改进,包括更高的生产率等。
根据 Gartner 分析师 Alan Priestley 的预测,0.55 NA EUV 光刻机单价将翻倍 3 1亿美元(计算机系统网注:目前约: 21.42 亿元人民币)。
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