TrendForce：HBM、QLC 崛起，助推今年 DRAM、NAND 产业营收环比增长超七成

电脑系统网 7 月 22 日消息，TrendForce 集邦咨询在今天发布的最新研究报告中表示，在 HBM 和 QLC 在崛起的推动下，2024年 年 DRAM 内存和 NAND 闪存行业年收入增长率将超过70%。

具体而言，DRAM 内存行业的收入将达到 907 1亿美元(计算机系统网注:目前约: 6602.49 1亿元)，环比增长， 75%；而 NAND 闪存行业的收入将达到 674 1亿美元(目前约 4906.37 1亿元)，环比增长， 77%。

展望 2025 年，该机构预计 DRAM 内存、NAND 闪存行业的收入也将分别出现 51% 和 29% 环比增长分别实现 1365 亿美元和 870 亿美元。

研报提到，2024、2025 两年的 DRAM 平均内存价格将分别上涨 53% 和 35%。

而驱动 DRAM 内存产业持续快速增长的主要因素有四个:HBM 崛起，一般型 DRAM 产品代代演变，原厂资本支出限缩供应，服务器需求复苏。

其中 HBM 热内存将同时提高位元需求和行业平均价格，预计今年 HBM 将贡献 DRAM 位元出货量 5%的收入贡献可以达到 20%；

另外，服务器 DDR、移动 LPDDR 内存的替代也有助于高附加值产品的渗透，进而推高 DRAM 平均内存价格。

研报预估 DDR5 内存将在 2024、2025 两年的服务器 DRAM 位元出货量分别占据 40% 和 60~65%；而 LPDDR5 (X) 今年和明年，移动内存位元出货量也将分别贡献 50% 和 60%。

对于 NAND 就闪存而言，其明年的产业增长驱动力除外 DRAM 除了限制相同内存的原始资本支出的供应和服务器需求的恢复外，它还包括 QLC 企业级固态硬盘和智能手机的崛起 QLC UFS 导入闪存。

北美云服务供应商已经开始 AI 大规模应用推理服务器 QLC 特别是企业级固态硬盘， QLC 大容量型号。

预计一些中国企业家将从今年开始 4 从季度开始，搭载智能手机 QLC UFS 和苹果一起储存 iPhone 则将从 2026 这类产品于2000年开始引进。

在各种因素的推动下，QLC 闪存将为今年的整体贡献做出贡献 NAND 位元出货量 明年这个数值将进一步提升20%。

机构预估 DRAM 内存和 NAND 闪存产业在 2025 年资本支出同比增长 25% 和 而且还有进一步上升的势头。

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